
随着摩尔定律放缓,单纯依靠制程微缩已难以满足性能提升需求。将传统RAM芯片与新兴的MRAM进行系统级集成,正成为突破性能瓶颈的关键路径。这种融合不仅涉及物理层面的堆叠与连接,更涵盖架构设计、内存管理策略及软件生态的全面革新。
| 集成方式 | 优点 | 缺点 |
|---|---|---|
| Chiplet异构集成 | 灵活性高,可独立优化各模块;支持不同厂商组件组合。 | 接口延迟较高,需额外控制逻辑。 |
| 3D堆叠(TSMC CoWoS/Intel Foveros) | 极短互连距离,高带宽;节省板级空间。 | 热管理挑战大,制造成本高。 |
| 单片集成(Monolithic Integration) | 最理想性能表现;无接口开销。 | 工艺兼容性差,良率低。 |
传统内存金字塔(Cache → RAM → Storage)正在被重新定义:
新架构对软件提出了更高要求:
已有企业开始布局相关技术:
尽管前景光明,但仍面临挑战:
但随着材料科学(如自旋轨道矩SOT-MRAM)的进步,预计2030年前后将实现大规模商用。
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